吴汉明

1987年获中国科学院力学所博士学位。1991-1993在美国UC-Berkeley博士后，94年中国科学院提升为研究员。而后在美国Intel从事先进光刻研发工作多年。2001年参加中芯国际并组建了技术中心先进刻蚀工艺研发部，领导启动了从90纳米到32纳米四个技术代CMOS技术的研发项目。在国内外主流刊物和会议的各种邀请报告90余篇；有的研究成果被美国加州Berkeley大学教科书采用。申请专利60多项（12项国际专利）。

国家十一五02重大专项“65-45-32纳米CMOS产品成套工艺和产业化”项目总负责人，国家十二五重大专项“32/28纳米CMOS成套产品工艺和产业化”项目首席科学家。国家973项目“纳米磁性自旋存储器和半导体硅量子点存储器的研制及其物理研究”首席科学家。其中“90-65纳米大生产关键工艺技术“获得2008年国家科技进步二等奖和教育部2007年科技进步一等奖,“65-45纳米技术产业化”成果获北京市2012年科技进步一等奖。

曾经担任2007年国际半导体技术年会（ISTC2007）工艺分会主席。2010年中国国际半导体技术年会（CSTIC2010）被选为大会主席。目前还兼任北京大学兼职教授，复旦大学和西安电子科技大学的客座教授。现任中芯国际集成电路制造有限公司技术研发副总裁。国家02重大专项总体专家组成员。